耗尽型MOS

2020-09-09 17:12:13 hongling

耗尽型MOS场效应管

型号	沟道	VDS (Max)	VGS	VTH (Typ)	ID (Max)	IDM (Max)	RDS(on) (Max)	封装	直接替代型号
HM5001E	N沟道耗尽型带ESD保护	600V	20V	-1.8V	30mA	120mA	350Ω	SOT-23	DMZ6005
HM1060E	N沟道耗尽型带ESD保护	600V	20V	-2.5V	100mA	400mA	120Ω	SOT-23
HM2015E	N沟道耗尽型带ESD保护	150V	20V	-6V	200mA	600mA	15Ω	SOT-23
HM1207E	N沟道耗尽型带ESD保护	70V	20V	-16.5V	100mA	400mA	10Ω	SOT-23