耗尽型MOS

2020-09-09 17:12:13 hongling

耗尽型MOS场效应管


型号

 沟道

 VDS
(Max)

 VGS

 VTH
(Typ)

 ID
(Max)

 IDM
(Max)

 RDS(on)
(Max)

 封装

 直接替代型号

HM5001E

N沟道
耗尽型
带ESD保护

 600V

 20V

 -1.8V

 30mA

 120mA

 350Ω

 SOT-23

 DMZ6005

HM1060E

N沟道
耗尽型
带ESD保护

600V

20V

-2.5V

100mA

400mA

120Ω

SOT-23


HM2015E

N沟道
耗尽型
带ESD保护

150V

20V

-6V

200mA

600mA

15Ω

SOT-23


HM1207E

N沟道
耗尽型
带ESD保护

70V

20V

-16.5V

100mA

400mA

10Ω

SOT-23