耗尽型MOS
2020-09-09 17:12:13
hongling
耗尽型MOS场效应管
型号 | 沟道 | VDS | VGS | VTH | ID | IDM | RDS(on) | 封装 | 直接替代型号 |
HM5001E | N沟道 | 600V | 20V | -1.8V | 30mA | 120mA | 350Ω | SOT-23 | DMZ6005 |
HM1060E | N沟道 | 600V | 20V | -2.5V | 100mA | 400mA | 120Ω | SOT-23 | |
HM2015E | N沟道 | 150V | 20V | -6V | 200mA | 600mA | 15Ω | SOT-23 | |
HM1207E | N沟道 | 70V | 20V | -16.5V | 100mA | 400mA | 10Ω | SOT-23 |