高压超结MOS

2021-01-05 10:25:46 hongling

型号

VDS
VGS

ID
IDM
RDS(on)
封装

HMS8N50K

500V

3.5V

23A

TO-252

IPP50R520E6/IPP50R520C6/
HMS24N50F

500V

3.5V

70A

TO-220F

IPP50R140E6/IPP50R140C6/
HMS7N60K

600V

3V

21A

TO-252

HMS8N60/F/K/I

600V

3V

24A

TO-220/TO-220F/
IPP60R600/IPA60R600/
HMS10N60K

600V

3V

40A

TO-252

IPP60R450E6/IPP60R450C6/
HMS11N60K/I

600V

3.5V

46A

TO-252/TO-251

IPP60R380/IPA60R380 
IPA60R400CE/IPA60R460CE

N沟道

30V

11A

300mΩ

TO-263

IPP60R380/IPA60R380 
IPA60R400CE/IPA60R460CE



























F/K/D/A

600V

3V

45A

TO-220/TO-220F/
TO-3P

IPP60R280/IPA60R280



























N沟道

30V

21A

150mΩ

TO-3P

IPP60R190/IPA60R190/
HMS28N60/F/T

600V

3.5V

112A

TO-220/|TO-220F/
IPP60R099/IPA60R099























N沟道

30V

38A

89mΩ

TO-247

IPP60R099E6/IPA60R099E



























N沟道

30V

47A

70mΩ

IPA60R099C7/IPA60R099P6/
HMS75N60T

600V

3.5V

300A

TO-247

IPP60R041E6/IPA60R041E6
























650-900V高压超结MOS

型号

沟道

(Max)

VGS

VTH

(Max)

(MAX)

(Max)

封装

直接替换型号






N沟道
650V
3V
15A
TO-220/TO-220F/
IPP65R900/LSC05N65/
多层外延工艺,抗冲击性强











HMS7N65K

N沟道

650V

30V

3V

7A

21A

680mΩ

TO-251/TO-252

IPP65R680/IPA65R680






HMS8N65/F/K/I

N沟道
带ESD

650V

30V

3V

8A

24A

480mΩ

TO-252/TO-251

IPP65R600/IPA65R600
多层外延工艺,抗冲击性强






HMS11N65K/I

带ESD

650V

30V

3.5V

11.5A

46A

290mΩ

TO-252/TO-251

多层外延工艺,抗冲击性强






HMS11N65/F/D

带ESD

650V

30V

3V

11A

33A

300mΩ

TO-263

多层外延工艺,抗冲击性强






F/K/D/A

N沟道

650V

30V

3V

15A

45A

230mΩ

TO-252/TO-263/
IPP65R225C7/IPA65R225C7
N沟道
TO-220/TO-220F/
IPP65R210/IPA65R210
HMS21N65/F/D
N沟道
TO-220/TO-220F/
TO-3P

N沟道
TO-220/TO-220F/
TO-220/TO-220F/
N沟道
TO-220/TO-220F/
IPP65R099C6/IPA65R099C6/
HMS40N65T

带ESD
20V
40A
68mΩ
IPP65R080C6/IPA65R080C6
多层外延工艺,抗冲击性强

HMS47N65A

N沟道

650V

30V

3.5V

47A

141A

80mΩ

TO-3P

IPA65R080C6/IPA65R080E6






N沟道
650V
3V
195A
TO-247
多层外延工艺,抗冲击性强










HMS75N65T

N沟道

650V

30V

3.5V

75A

300A

36mΩ

TO-247

IPP65R041C6/IPA65R041C6/






HMS4N70/F/K/I
N沟道
700V
30V
3V
4A
12A
1200mΩ
TO-252/TO-251
IPP70R1K2/IPA70R1K





HMS5N70/F/K
N沟道
带ESD
700V
30V
3V
5A
15A
955mΩ
TO-220/TO-220F/
TO-252
IPP70R900/IPA70R900
多层外延工艺,抗冲击性强





HMS7N70K
N沟道
700V
30V
3V
7A
28A
680mΩ
TO-252
IPP70R680/IPA70R680





HMS8N70/F/K/I
N沟道
带ESD
700V
30V
3V
8A
24A
540mΩ
TO-252/TO-251
多层外延工艺,抗冲击性强





HMS11N70F/K
N沟道
带ESD
700V
30V
3V
11A
30A
400mΩ
TO-220F/TO-252
IPP70R450E6/IPP70R450C6/
多层外延工艺,抗冲击性强





HMS15N70F/D
N沟道
700V
30V
3V
15A
45A
300mΩ
TO-220F/TO-263
IPP70R340E6/IPP70R340C6/
TO-220/TO-220F/
IPP70R230P6/IPP70R230C6/
多层外延工艺,抗冲击性强





HMS20N70/F/D/T
带ESD
700V
30V
3V
20A
60A
180mΩ
TO-263/TO-247
多层外延工艺,抗冲击性强





HMS21N70/F/A
N沟道
700V
30V
3V
21A
63A
180mΩ
TO-3P
IPP70R190/IPA70R19





HMS5N80K/I
N沟道
800V
30V
3.5V
5A
15A
1290mΩ
TO-252/TO-251
IPP80R1K2P6





HMS7N80/F/K/I
带ESD
800V
30V
3V
7A
21A
740mΩ
TO-220/TO-220F
TO-252/TO-251
IPP80R900P6
多层外延工艺,抗冲击性强





HMS10N80/F/K
带ESD
800V
30V
30V
10A
30A
580mΩTO-220/TO-220F/
TO-252
IPP80R650P6
多层外延工艺,抗冲击性强





HMS15N80/F
带ESD
800V
30V
30V
15A
45A
330mΩ
TO-220/TO-220F
IPP80R380P6
多层外延工艺,抗冲击性强





HMS18N80F
N沟道
800V
30V
3.5V
18A
54A
280mΩ
TO-220F
IPP80R280





HMS5N90K/I
N沟道
900V
30V
3.5V
5A
15A
1480mΩ
TO-252/TO-251
IPP90R1K2P6





HMS7N90K/I
N沟道
900V
30V
3.5V
7A
21A
995mΩ
TO-252/TO-251
IPP90R1K0P6